도시바, 3세대 SiC 쇼트키 배리어 다이오드 라인업에 1200V 제품 추가… 산업용 전력 장비의 고효율화 기여

2024-09-26 15:40 출처: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (도쿄증권거래소 6502)

가와사키, 일본--(뉴스와이어)--도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)(도시바(Toshiba))이 광전지 인버터, EV 충전소 및 스위칭 전원 공급 장치와 같은 산업 장비용 3세대 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 쇼트키 배리어 다이오드(Schottky barrier diodes, SBD) 라인업에 1200V 제품의 ‘TRSxxx120Hx 시리즈’를 추가했다. 도시바는 오늘 TO-247-2L 패키지 5개와 TO-247 패키지 5개 등 시리즈 중 10개의 신제품의 출하를 시작했다.

새로운 TRSxxx120Hx 시리즈는 도시바의 3세대 650V SiC SBD의 개선된 접합 장벽 쇼트키(junction-barrier Schottky, JBS) 구조[1]를 사용하는 1200V 제품이다. 접합 장벽에 새로운 금속을 사용함으로써 이 신제품은 1.27V(일반)의 업계 최고[2]의 낮은 순방향 전압, 낮은 총 용량성 충전 및 낮은 역전류를 달성할 수 있다. 이는 더 높은 전력 응용 분야에서 장비 전력 손실을 크게 줄인다.

도시바는 계속해서 SiC 전력 장치 라인업을 지속적으로 확장하고 산업용 전력 장비의 전력 손실을 줄이는 효율성 향상에 중점을 둘 것이다.

참고:

[1] 개선된 JBS 구조: 고전류에서 순방향 전압을 감소시키는 머지드 PiN 쇼트키(Merged PiN Schottky) 구조를 JBS 구조에 통합하고, 쇼트키 인터페이스에서 전기장을 낮추고 전류 누설을 줄이는 구조.

[2] 1200V SiC SBD 중. 2024년 9월 현재 Toshiba 설문조사.

응용처

· 광전지 인버터

· EV 충전소

· 산업용 장비용 스위칭 전원 공급 장치, UPS

기능

· 3세대 1200 V SiC SBD

· 업계 최고[2] 낮은 순방향 전압: VF=1.27V(일반)(IF=IF(DC))

· 낮은 총 용량성 충전: TRS20H120H의 경우 QC=109nC(일반)(VR=800V, f=1MHz)

· 낮은 역전류: TRS20H120H의 경우 IR=2.0μA(일반)(VR=1200V)

주요 사양

(표의 내용은 pdf 참조. 다운로드: https://file.newswire.co.kr/modules/download/downloadNewsFiles.php?newsid=997536&no=8719)

신제품에 대한 자세한 내용을 알려면 아래 링크를 따라가면 된다.

TRS10H120H

TRS15H120H

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TRS10N120HB

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도시바의 SiC SBDs에 대한 자세한 내용을 알려면 아래 링크를 따라가면 된다.

SiC 쇼트키 베리어 다이오드

3세대 SIC 쇼트키 베리어 다이오드(SBD)

도시바의 SiC 파워 디바이스에 대한 자세한 내용을 알려면 아래 링크를 따라가면 된다.

SiC 파워 디바이스

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도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션 소개

첨단 반도체 미치 스토리지 솔루션 분야의 선도적인 공급업체인 도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지 코퍼레이션은 반세기가 넘는 경험과 혁신을 이용해 고객과 비즈니스 파트너에게 뛰어난 디스크리트 반도체, 시스템 LSI 및 HDD 제품을 제공한다.

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사진/멀티미디어 자료 : https://www.businesswire.com/news/home/54126329/en

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